三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm，散熱控制能力更強(qiáng)，適合端側(cè)AI在移動端的應(yīng)用

LPDDR封裝采用12納米級工藝，四層堆疊，在提升Die密度的同時，減少厚度，提高耐熱性

深圳2024年8月6日 -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開始量產(chǎn)，支持12GB和16GB容量。這將進(jìn)一步鞏固三星在低功耗內(nèi)存市場的地位。

憑借在芯片封裝領(lǐng)域豐富的技術(shù)經(jīng)驗，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝，使移動設(shè)備內(nèi)有多余的空間，促進(jìn)空氣流動。散熱控制能力因此得到提升，這一屬性對于像端側(cè)人工智能類具有復(fù)雜功能的高性能應(yīng)用尤為關(guān)鍵。

“LPDDR5X DRAM在具備卓越的移動端低功耗性能的同時，還能在超輕薄的封裝中提供先進(jìn)的熱管理功能，為高性能端側(cè)AI解決方案樹立了新標(biāo)準(zhǔn)。”三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊執(zhí)行副總裁YongCheol Bae表示?！叭菍⒊种院愕嘏c客戶密切合作，不斷創(chuàng)新，提供能夠滿足符合時代的低功耗DRAM解決方案。

憑借LPDDR5X DRAM的封裝技術(shù)，三星提供了其業(yè)內(nèi)最薄，采用四層堆疊結(jié)構(gòu)^[1]的12納米級LPDDR DRAM。與上一代產(chǎn)品相比，厚度降低約9%，耐熱性能提升約21.2%。

通過采用更先進(jìn)的印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)^[2]工藝，新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超過之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星優(yōu)化了背面研磨工藝^[3]，進(jìn)一步壓縮了封裝厚度。

三星計劃通過向移動處理器生產(chǎn)商，和移動設(shè)備制造商供應(yīng)0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，繼續(xù)擴(kuò)大低功耗DRAM的市場。隨著市場對高性能、高密度且封裝尺寸更小的移動存儲解決方案的需求持續(xù)增長，三星計劃開發(fā)6層24GB和8層32GB的模組，為未來設(shè)備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。

除非經(jīng)特殊說明，本文中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內(nèi)部測試結(jié)果，涉及的對比均為與三星產(chǎn)品相比較。