如今，5G時(shí)代已經(jīng)不再是水中月、鏡中花，作為消費(fèi)者的我們已經(jīng)做好了迎接5G時(shí)代到來(lái)的心理準(zhǔn)備。不過(guò)，對(duì)于手機(jī)廠商們來(lái)說(shuō)，5G時(shí)代要解決難題不只是傳輸數(shù)據(jù)的通訊基帶，還有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的內(nèi)置閃存。

就在今天，西部數(shù)據(jù)公司正式推出了96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤(pán)——Western Digital iNAND MC EU321。這一iNAND系列產(chǎn)品的新成員可提供高達(dá)550MB/s的連續(xù)寫(xiě)入性能，足以在AI、AR、高分辨率多攝、8K視頻等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)出色的移動(dòng)體驗(yàn)。

iNAND MC EU321嵌入式閃存盤(pán)采用了西部數(shù)據(jù)公司的96層3D NAND技術(shù)、先進(jìn)的UFS 2.1接口技術(shù)及西部數(shù)據(jù)公司的iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)。

先進(jìn)的架構(gòu)使得它能夠在使用容量接近98%時(shí)仍可保持巔峰的寫(xiě)入性能，而不像同類競(jìng)品在容量利用率接近80-90%時(shí)出現(xiàn)大幅度的性能下降。

（由左至右：西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部副總裁-朱海翔先生，

西部數(shù)據(jù)公司嵌入式及集成解決方案(EIS)產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)-包繼紅女士，

西部數(shù)據(jù)公司高級(jí)副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理-StevenCraig先生）

在未來(lái)的5G時(shí)代，手機(jī)將成為人們應(yīng)用AI、AR、VR、高分辨率多攝、8K視頻等技術(shù)的承載核心終端，因此其數(shù)據(jù)吞吐量將會(huì)有著爆發(fā)式增長(zhǎng)。作為西部數(shù)據(jù)首款96層移動(dòng)EFD的iNAND MC EU321，目前已經(jīng)就容量高達(dá)256GB 的存儲(chǔ)解決方案在OEM中開(kāi)展測(cè)試。相信西部數(shù)據(jù)將會(huì)在即將到來(lái)的5G時(shí)代中，為移動(dòng)數(shù)據(jù)的蓬勃發(fā)展提供有力的硬件支持。