雙方通過在架構擴展和CMOS布局方面的創(chuàng)新，聯(lián)合打造出新一代更高密度、更領先的3D閃存技術。

2021年2月22日，北京–西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ: WDC）日前宣布，與合作伙伴鎧俠聯(lián)合研發(fā)出第六代162層3D閃存技術。該技術是雙方協(xié)力打造的具備更高密度、更為先進的3D閃存技術，廣泛地運用了其在技術與制造層面的創(chuàng)新成果，也象征著雙方20年深度合作的又一里程碑。

西部數(shù)據(jù)公司技術與戰(zhàn)略總裁Siva Sivaram博士表示：“摩爾定律在當下的半導體行業(yè)發(fā)展中已達到物理壁壘，但其仍適用于閃存領域。為了持續(xù)推動技術進步，滿足全球不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求，在3D 閃存領域?qū)崿F(xiàn)擴展創(chuàng)新至關重要。在新一代技術中，我們與鎧俠在縱向和橫向擴展方面都引入了創(chuàng)新，讓層數(shù)更少、體積更小的晶圓實現(xiàn)更大的容量，以滿足用戶對性能、可靠性和成本的需求。”

鎧俠首席技術官Masaki Momodomi表示：“20年的深入合作中，我們雙方都展示出了在制造和研發(fā)領域里領先的能力。我們共同提供了全球30%1以上的閃存存儲，并始終堅持以低成本為客戶提供具備卓越容量、性能和可靠性的解決方案。我們也將持續(xù)在一系列以數(shù)據(jù)為中心的應用中推進這一目標，包括個人電子設備和數(shù)據(jù)中心應用，以及由5G網(wǎng)絡、人工智能和自動化系統(tǒng)推動的新興應用等?！?

以創(chuàng)新技術打造全新架構——超越垂直擴展

第六代3D閃存技術采用超越傳統(tǒng)八層交錯式存儲孔陣列的領先架構，其橫向單元陣列密度比第五代技術提高了約10%2。與112層堆疊技術相比，這種橫向擴展技術上的提升，結(jié)合162層堆疊式垂直存儲器，能夠使晶圓尺寸減小約40%3，從而優(yōu)化了成本。

西部數(shù)據(jù)與鎧俠團隊還采用了陣列CMOS電路布局和四路同時操作，與上一代產(chǎn)品相比，程序性能可提高近2.4倍4，讀取延遲減少約10%5，I/O性能也提高了約66%6，使得下一代接口能夠滿足不斷增長的對更高傳輸速率的需求。

總體而言，與上一代產(chǎn)品相比，新的3D閃存技術降低了單位成本，并使每個晶圓的制造位增加了高達70%7。西部數(shù)據(jù)與鎧俠將持續(xù)推動創(chuàng)新，以確保實現(xiàn)持續(xù)擴展，從而滿足用戶及其多樣化應用的需求。