還記得DDR4時代的三星B-Die,喜歡折騰超頻玩家的最愛,瘋狂刷新D4頻率的記錄。到DDR5時代,Hynix 原廠顆粒又著實火一把,將DDR5內(nèi)存頻率推向新的高度。

今天我們給大家評測一款7200MHz的DDR5內(nèi)存,來自朗科Z系列RGB DDR5-7200 16GBx2套裝,采用Hynix 原廠顆粒,一鍵XMP可到7200MHz的高頻,時序低至CL34,超頻能力非常猛 。加上1.8mm加厚裝甲,電鍍銀的鏡面外觀以及多彩酷炫的RGB燈效,匹配Intel高端13代酷睿平臺正好。

外觀與細(xì)節(jié)介紹:

Z系列是朗科旗艦定位的內(nèi)存,主要面向于高端玩家,在外觀設(shè)計上可謂獨具一格。鋁合金的散熱馬甲,采用先進的電鍍銀工藝處理,金屬表面宛如一面鏡子般,在光線折射下,奢華的質(zhì)感拉滿。

金屬表面運用了立體的設(shè)計,看上去類似一個Z字造型,與產(chǎn)品名相呼應(yīng)上。線條之間勾勒,盡顯優(yōu)雅美感。

散熱馬甲的厚度達(dá)到1.8mm,用料扎實,上手分量感十足,還可以帶來更出色的散熱效果。其高度約為50mm,若裝風(fēng)冷散熱器,注意一下與散熱器的兼容性。

內(nèi)部的PCB板也進行加厚,同時金手指采用鍍金工藝,具有良好的耐腐蝕,抗磨損能力,保證長時間使用,信號傳輸?shù)姆€(wěn)定無誤。

內(nèi)存的頂部靠邊處印上Netac的品牌LOGO。

內(nèi)存標(biāo)簽,支持Intel XMP3.0技術(shù),一鍵開啟之后,內(nèi)存可工作在7200MHz的頻率下,單條容量16GB,雙通道可組32GB容量。時序控制得相當(dāng)出色,做到CL34-45-45-115,工作電壓1.4V。

值提一提的是,頂部的導(dǎo)光條表面也采用了電鍍工藝,與金屬馬甲保持了高度的一致性,整體外觀視覺更協(xié)調(diào)統(tǒng)一。

內(nèi)部設(shè)有8顆高亮的RGB燈珠,支持1680萬種燈光色彩,同時通過四大板廠(華碩/華擎/技嘉/微星)的軟件認(rèn)證,實現(xiàn)燈光的聯(lián)動,打造燈效同步的RGB主機。

RGB燈效賞析:

點亮之后,燈光比較柔和,且亮度足夠,在不同燈光色彩以及不同燈效模式,呈現(xiàn)不一樣的視覺體驗。

整機的燈光同步之后,主機里流光溢彩,在光影之間,詮釋玩家的個性。

性能測試:

測試平臺:

作為一款高頻內(nèi)存,需要匹配高端硬件平臺。CPU選擇的是i9-13900K,13代酷睿的旗艦,搭配一張高端的Z790主板,能夠更好發(fā)揮朗科Z系列RGB DDR5-7200 16GBx2套裝的性能。

來看CPU-Z的SPD截圖,內(nèi)置一檔XMP-7200參數(shù)。開啟之后,內(nèi)存自動工作在7200MHz頻率,CL34-45-45-115的時序,電壓1.4V下。

接下來,讓我們來看看,普通4800MHz(CL40) VS XMP至7200MHz(CL.34),性能差距到底有多少?

AIDA64內(nèi)存性能基準(zhǔn)測試:

在AIDA64測試中,朗科Z系列RGB DDR5-7200內(nèi)存的讀取/寫入/復(fù)制速度比起DDR5-4800的,有巨大的提升,已經(jīng)飆到100GB/s以上。再看延遲表現(xiàn),在高頻低時序加持下,延遲也降下來,從83.3ns降至61.9ns,對于延遲敏感的應(yīng)用和游戲,無疑是大大的利好。

SiSoftware Sandra 內(nèi)存帶寬測試:

DDR5-4800頻率跑出的帶寬僅64.16GB/s,而在7200MHz高頻下,帶寬飆到96GB/s,提升幅度達(dá)到33%,這就是高頻的內(nèi)存實力。

視頻轉(zhuǎn)碼輸出:

高頻內(nèi)存在生產(chǎn)力上表現(xiàn)如何呢?我們使用大家常用PR軟件來導(dǎo)出同一個視頻工程文件,導(dǎo)出格式H.264,總大小709MB,然后記錄導(dǎo)出的時間。

在朗科Z系列RGB DDR5-7200內(nèi)存加持下,導(dǎo)出時間要比4800MHz縮短21秒左右,顯著提升工作的效率,提高生產(chǎn)力。

對CPU的性能影響:

這里我們跑了7款常見的CPU測試軟件,主要考驗CPU的基準(zhǔn)性能。可以看到,7200MHz的高頻助力下,i9-13900K性能得到不同程度的提升。

游戲性能測試:

游戲測試,主要選擇了一些對內(nèi)存帶寬及延遲比較敏感的游戲來測試,包括《絕地求生:大逃殺》、《孤島驚魂5》和《彩虹六號:圍攻》。

這三款游戲的幀率提升分別達(dá)到29、34、99幀,所以對于喜歡玩此類游戲的玩家,用高頻條會有更好的游戲體驗。

超頻測試:

前面我們提到這款內(nèi)存采用Hynix 原廠顆粒,具備很強的超頻潛力,7200MHz只是它XMP的頻率,最終可以超到多少呢?

經(jīng)過我們一番探索,在現(xiàn)有平臺的基礎(chǔ)上,最終將內(nèi)存頻率超至8000MHz,此時內(nèi)存的電壓略升高至1.50V,時序調(diào)整為40-46-46-128,順利完成RunMemtestPro 4.5燒機測試,100%無錯誤。

根據(jù)經(jīng)驗,要超到8000MHz的天花板級別頻率,不僅對平臺硬件,對內(nèi)存顆粒體質(zhì)提出很高的要求,并且對內(nèi)存馬甲和PMIC散熱同樣有非常高的要求,朗科Z系列RGB DDR5-7200內(nèi)存真正做到了。不過需要注意的是,調(diào)節(jié)參數(shù)超到高頻容易,但要過重負(fù)載的穩(wěn)定性測試,需要小參上認(rèn)真探索。

內(nèi)存超頻至8000MHz后,讀速度來到了128GB/s,寫速度來到121GB/s左右,延遲60.9ns。相比于7200MHz,提升也是相當(dāng)可觀的。

只要你愿意折騰,這就相當(dāng)于“花小錢辦大事”。要知道現(xiàn)在DDR5-8000MHz內(nèi)存,都是“鈔”能力的玩家才玩得起。

總結(jié):

朗科Z系列DDR5-7200內(nèi)存定位于高端玩家,硬件發(fā)燒友以及專業(yè)內(nèi)容創(chuàng)作者,開啟XMP后,內(nèi)存頻率直達(dá)7200MHz,讀寫均超過了100GB/s。在超頻過程中,被我們超到8000MHz超高頻率,性能又進一步提升,同時可以穩(wěn)定運行。

就算不會折騰超頻,當(dāng)頻率達(dá)到7200MHz的時候,它的綜合性能表現(xiàn)相比4800MHz普條有質(zhì)的飛躍。同時,電鍍銀鏡面外觀,金屬質(zhì)感十足,配合酷炫的RGB燈效,顏值與可玩性都是佼佼者。這款內(nèi)存還提供終身售后服務(wù),解決玩家的后顧之憂。

對于追求高性能的用戶,朗科Z系列DDR5-720016GBx2高頻內(nèi)存肉眼可見的性能提升,將是一個不錯的選擇。目前它的價格僅1499,放心沖就對了。