（AI云資訊消息）據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電與英偉達(dá)合作開發(fā)采用先進(jìn)芯片封裝技術(shù)的下一代圖形處理器（GPU）。這一合作預(yù)計(jì)將在英偉達(dá)即將推出的Rubin架構(gòu)中發(fā)揮重要作用，據(jù)傳Rubin架構(gòu)將是當(dāng)前Blackwell架構(gòu)的繼任者。

向基于芯粒的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變，標(biāo)志著對傳統(tǒng)單片GPU架構(gòu)的重大革新，可帶來性能、可擴(kuò)展性和成本效益的全面提升。芯粒技術(shù)使制造商將多個(gè)較小的半導(dǎo)體晶片集成到單個(gè)封裝中，既能提高良率又能降低生產(chǎn)成本。

這種設(shè)計(jì)方式在半導(dǎo)體行業(yè)日益受到青睞，特別是在芯片設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜、傳統(tǒng)制程工藝面臨瓶頸的當(dāng)下。通過借助臺(tái)積電先進(jìn)的制造工藝，英偉達(dá)有望顯著提升其下一代GPU的能效比與運(yùn)算性能，使其特別適用于人工智能、數(shù)據(jù)中心及高性能計(jì)算等領(lǐng)域。

業(yè)內(nèi)傳聞稱，英偉達(dá)Rubin GPU將采用臺(tái)積電升級(jí)版N3P制程節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)。作為臺(tái)積電3納米技術(shù)的優(yōu)化版本，N3P工藝相比前代產(chǎn)品在性能表現(xiàn)、能效比和晶體管密度方面均有提升。該制程專為最大化發(fā)揮芯粒架構(gòu)優(yōu)勢而設(shè)計(jì)，或?qū)⒅τミ_(dá)在保持能耗效率的同時(shí)進(jìn)一步突破GPU性能極限。

為充分發(fā)揮芯粒架構(gòu)GPU的性能潛力，英偉達(dá)還將采用臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)，包括SoIC（集成芯片系統(tǒng)）。該技術(shù)通過芯片垂直堆疊，不僅能提升能效表現(xiàn)，還可降低GPU內(nèi)部各芯粒間的通信延遲——AMD早在數(shù)年前就已在3D V-Cache處理器中應(yīng)用類似設(shè)計(jì)。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，臺(tái)積電正加速提升SoIC產(chǎn)能，計(jì)劃在2025年底前實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘮U(kuò)張。據(jù)國外科技媒體透露，英偉達(dá)即將推出的Rubin系列將采用SoIC設(shè)計(jì)，并搭配HBM4高帶寬內(nèi)存。據(jù)傳Vera Rubin NVL144平臺(tái)將搭載雙掩模尺寸晶片的Rubin GPU，F(xiàn)P4運(yùn)算性能高達(dá)50PFLOPs，配備288GB新一代HBM4內(nèi)存；而旗艦款NVL576型號(hào)預(yù)計(jì)采用四掩模尺寸晶片的Rubin Ultra GPU，F(xiàn)P4性能突破100PFLOPs，更通過16組HBM堆棧集成1TB HBM4e內(nèi)存。

英偉達(dá)布局芯粒技術(shù)的舉措順應(yīng)了行業(yè)大勢，AMD、英特爾等芯片巨頭早已在處理器中采用類似模塊化設(shè)計(jì)。這種架構(gòu)使制造商靈活組合不同計(jì)算單元，針對特定工作負(fù)載優(yōu)化性能。隨著人工智能和高性能計(jì)算對更強(qiáng)大硬件的需求不斷增長，臺(tái)積電與英偉達(dá)的戰(zhàn)略合作有望推動(dòng)GPU設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)革命性突破。