兩家公司預展第十代3D閃存技術，為性能、能效和位密度設立新標準

舊金山, 國際固態(tài)電路會議（ISSCC）——鎧俠株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖端3D閃存技術，憑借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度，樹立了行業(yè)新標準。

兩家公司在2025年國際固態(tài)電路會議上展示了這項3D閃存創(chuàng)新技術，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術1相結合，采用最新的NAND閃存接口標準Toggle DDR6.0以及SCA（獨立命令地址）協(xié)議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時還整合了PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術3（在進一步降低功耗方面發(fā)揮了關鍵作用）。

基于此獨有的高速技術優(yōu)勢，兩家公司的新一代3D閃存較目前量產的第八代產品（BiCSFLASH? generation8）實現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達到4.8Gb/s。此外，該技術也顯著提升了數(shù)據輸入/輸出的能效，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，成功實現(xiàn)了高性能與低功耗的最優(yōu)平衡。兩家公司預展第十代3D閃存（BiCSFLASH? generation10）技術時介紹，通過將存儲層數(shù)增至332層并優(yōu)化晶圓平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。

鎧俠首席技術官宮島英史表示：“隨著人工智能技術的普及，預計產生的數(shù)據量將顯著增加，同時現(xiàn)代數(shù)據中心對能效提升的需求也在增長。鎧俠深信，這項新技術將實現(xiàn)更大容量、更高速度和更低功耗的產品，包括用于未來存儲解決方案的SSD產品，并為人工智能的發(fā)展奠定基礎。”

閃迪公司全球戰(zhàn)略與技術高級副總裁Alper Ilkbahar表示：“隨著人工智能的進步，客戶對存儲器的需求日益多樣化。我們通過CBA技術創(chuàng)新，致力于推出在容量、速度、性能和資本效率方面達到最佳組合的產品，以滿足各細分市場客戶的需求。”

鎧俠和閃迪還分享了即將推出的第九代3D閃存（BiCSFLASH? generation9）計劃。通過其獨特的CBA技術，兩家公司能夠將新的CMOS技術與現(xiàn)有的存儲單元技術相結合，從而提供資本效率高、性能優(yōu)異且功耗低的產品。兩家公司將繼續(xù)致力于開發(fā)前沿閃存技術，提供定制化解決方案以滿足客戶需求，并為數(shù)字社會的發(fā)展做出貢獻。