近日，旭化成株式會社（以下簡稱“旭化成”）宣布成功開發(fā)出面向AI服務(wù)器等先進(jìn)半導(dǎo)體封裝制造工藝的全新感光干膜“SUNFORT? TA系列”（以下簡稱“TA系列”）。感光干膜是旭化成電子業(yè)務(wù)的核心產(chǎn)品之一，此次推出的“TA系列”專為應(yīng)對快速增長的下一代半導(dǎo)體封裝需求而設(shè)計，可兼容傳統(tǒng)的Stepper曝光設(shè)備※1，和LDI（激光直寫）曝光設(shè)備※2兩種曝光方式，在不同設(shè)備條件下均能實(shí)現(xiàn)極高的圖案解析度，有助于在封裝工藝中提升基板微細(xì)線路圖案的成型性能。

感光干膜“SUNFORT?”

用于AI服務(wù)器等先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的中介層（Interposer）※3及封裝基板，不僅需要具備大面積、高多層的結(jié)構(gòu)特性，同時對高密度微細(xì)線路的形成技術(shù)也有很高要求。作為形成這些微細(xì)線路的再配線層（RDL），長期以來由于在解析度方面的局限，液態(tài)光刻膠一直為主流材料。然而，相較于液態(tài)光刻膠，感光干膜在面板尺寸適配性、易操作性以及可同時處理基板正反面等方面具有顯著優(yōu)勢。若能在解析度方面取得突破，將有望替代液態(tài)光刻膠，成為RDL的形成工藝的重要選擇。

本次推出的“TA系列”正是基于這一市場需求而研發(fā)。通過采用旭化成長期積累的感光性材料技術(shù)，并結(jié)合全新的材料設(shè)計，該系列產(chǎn)品在RDL形成所需的4μm節(jié)距設(shè)計條件下，利用LDI曝光可實(shí)現(xiàn)1.0μm線寬的圖案形成，是非常適用于面板級封裝※4等微細(xì)配線形成的感光干膜材料（見圖a、b）。所形成的微細(xì)光刻圖案，經(jīng)過SAP（加成法）※5電鍍圖案形成工藝以及后續(xù)光刻膠剝離步驟后，可在4μm節(jié)距設(shè)計條件下實(shí)現(xiàn)3μm線寬的電鍍圖案形成（見圖c）。

通過LDI曝光形成的7μm厚TA系列微細(xì)圖形示例

(a) 正面視圖：干膜形成圖形（線寬/線距=1.0/3.0μm）

(b) 斜視圖：干膜形成圖形（線寬/線距=1.0/3.0μm）

(c) 干膜剝離后橫截面圖：電鍍圖案（線寬/線距=3.0/1.0μm）

此外，“TA系列”同樣適用于傳統(tǒng)的Stepper曝光方式，為日益多樣化的微細(xì)線路形成工藝提供新的選擇。

旭化成在《中期經(jīng)營計劃2027 ～Trailblaze Together～》中將電子業(yè)務(wù)定位為重點(diǎn)增長業(yè)務(wù)之一。電子業(yè)務(wù)由電子材料業(yè)務(wù)和電子元件業(yè)務(wù)這兩部分組成，“SUNFORT?”作為電子材料業(yè)務(wù)的核心產(chǎn)品之一，持續(xù)推動著公司在高端材料領(lǐng)域的技術(shù)引領(lǐng)地位。

未來，旭化成將繼續(xù)深化感光干膜“SUNFORT?”產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，積極應(yīng)對面板尺寸大型化趨勢下日益重要的面板級封裝技術(shù)需求，助力全球客戶實(shí)現(xiàn)更高效、更高性能的半導(dǎo)體封裝解決方案。

如需了解感光干膜“SUNFORT?”產(chǎn)品的更多詳情，請?jiān)L問旭化成官方網(wǎng)站。

※1：也稱為“步進(jìn)式曝光裝置”，是一種將玻璃光罩上的圖案以縮小投影方式曝光至晶圓上的方法。

※2：利用激光技術(shù)，在基板上實(shí)現(xiàn)高速且高精度曝光的方法。

※3：用于連接半導(dǎo)體芯片和電子元器件的中間基板。

※4：在半導(dǎo)體芯片封裝過程中，與傳統(tǒng)的圓形晶圓不同，采用大型方形面板基板的先進(jìn)封裝技術(shù)。

※5：在種子層（化學(xué)鍍銅或?yàn)R射銅）上用抗蝕膜形成非線路圖案，通過電鍍形成線路，隨后通過蝕刻去除多余種子層的工藝方法。